Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管研制

编号 zgly0000598355

文献类型 期刊论文

文献题名 Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管研制

作者 张发生  李欣然 

作者单位 湖南大学电气与信息工程学院  湖南大学电气与信息工程学院  长沙  410082中南林业科技大学电子与信息工程学院  410004  410082 

母体文献 固体电子学研究与进展 

年卷期 2008,(1)

年份 2008 

分类号 TN31 

关键词 碳化硅  肖特基势垒二极管  电特性 

文摘内容 采用微电子平面工艺,高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,二级场限环终端表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。反向击穿电压达1500V,理想因子为1.2,肖特基势垒高度为0.92eV。