高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制

编号 zgly0000656330

文献类型 期刊论文

文献题名 高压4H-SiC肖特基二极管的模拟及研制

作者 张发生  李欣然 

作者单位 湖南大学电气与信息工程学院  中南林业科技大学计算机与信息工程学院 

母体文献 湖南大学学报: 自然科学版 

年卷期 2010,37(7)

页码 47-50

年份 2010 

分类号 TN311 

关键词 肖特基势垒二极管  结终端扩展  模拟  击穿耐压  实验 

文摘内容 结终端技术能提高4 H-SiC肖特基势垒二极管器件的耐压性能.利用仿真软件ISE-TCAD10.0对具有结终端扩展JTE保护的4 H-SiC SBD器件进行了仿真研究,并依据仿真优化好的参数试制了器件.实验测试结果表明,模拟优化结果与实验测试器件的结果一致性较好,实测此器件的反向电压值达2 000 V,接近理想击穿耐压88%,漏电流数值为0.1mA/cm2.