基于结终端扩展的4H—SiC肖特基势垒二极管研制

编号 zgly0000652614

文献类型 期刊论文

文献题名 基于结终端扩展的4H—SiC肖特基势垒二极管研制

作者 张发生  李欣然 

作者单位 湖南大学电气与信息工程学院  中南林业科技大学计算机与信息工程学院 

母体文献 固体电子学研究与进展 

年卷期 2010,30(1)

页码 146-149

年份 2010 

分类号 TN311.7 

关键词 碳化硅  肖特基势垒二极管  结终端扩展  欧姆接触 

文摘内容 采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触, 离子注入形成结终端扩展表面保护, 研制出Ni/4H—SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明, Ni/4H—SiCSBD有较好的整流特性, 热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击穿电压达1800V, 且反向恢复特性为32ns。