结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制

编号 zgly0000663630

文献类型 期刊论文

文献题名 结终端采用JTE保护技术的4H-SiC PiN二极管模拟和研制

作者 张发生  张玉明 

作者单位 中南林业科技大学计算机与信息工程学院  西安电子科技大学微电子学院 

母体文献 计算物理 

年卷期 2011,28(2)

页码 306-312

年份 2011 

分类号 TN302 

关键词 4H-SiC  PiN二极管  结终端扩展  仿真  工艺  击穿电压 

文摘内容 利用二维器件模拟软件ISE-TCAD 10.0,对结终端采用结扩展保护技术的4H-SiC PiN二极管平面器件进行反向耐压特性的模拟,并获得许多有价值的模拟数据.依据所得的模拟数据进行此种二极管器件的研制.实验测试表明,此二极管的模拟优化数据与实验测试的结果一致性较好,4H-SiC PiN二极管所测得到的反向电压达1 600 V,该反向耐压数值达到理想平面结的击穿耐压90%以上.