Mo／4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

编号 zgly0000550598

文献类型 期刊论文

文献题名 Mo／4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

作者 张发生  李欣然 

作者单位 湖南大学电气与信息工程学院  中南林业科技大学电子与信息工程学院 

母体文献 半导体学报 

年卷期 2007,28(3)

页码 435-438

年份 2007 

分类号 TM31 

关键词 SiC  Mo  肖特基二极管 

文摘内容 采用微电子平面工艺，射频溅射Mo作肖特基接触，电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触，三级场限环终端表面保护．并通过对Mo接触进行合理的高温退火，不降低理想因子和反向耐压特性情况下，有效控制肖特基势垒高度在1．2～1．3eV范围内，成功研制出高耐压低损耗Mo／4H-SiC肖特基势垒二极管，其特性测试结果为：击穿电压Vb为3000V，串联导通电阻Ron为9．2mΩ·cm^2，Vb^2/Ron为978MW／cm^2．。