Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

编号 zgly0000499257

文献类型 期刊论文

文献题名 Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管的研制

作者 张发生  李欣然 

作者单位 湖南大学电气与信息工程学院  中南林业科技大学电子与信息工程学院 

母体文献 半导体学报 

年卷期 2007,28(3)

页码 435-438

年份 2007 

分类号 TM31 

关键词 SiC  Mo  肖特基二极管 

文摘内容 采用微电子平面工艺, 射频溅射Mo作肖特基接触, 电子束热蒸发金属Ni作欧姆接触, 三级场限环终端表面保护。并通过对Mo接触进行合理的高温退火, 不降低理想因子和反向耐压特性情况下, 有效控制肖特基势垒高度在1.2～1.3eV范围内, 成功研制出高耐压低损耗Mo/4H-SiC肖特基势垒二极管, 其特性测试结果为: 击穿电压Vb为3000V, 串联导通电阻Ron为9.2mΩ·cm^2, Vb^2/Ron为978MW/cm^2。