低剂量超辐射敏感与诱导辐射抗性的研究进展

编号 zgly0000562974

文献类型 期刊论文

文献题名 低剂量超辐射敏感与诱导辐射抗性的研究进展

作者 常胜合  秦广雍  李宗伟  王雁萍  陈林海  谈重芳  李宗义 

作者单位 郑州大学物理工程学院离子束生物工程实验室 

母体文献 核农学报 

年卷期 2008,22(2)

页码 196-199,187

年份 2008 

分类号 Q954.56  Q274 

关键词 低剂量超辐射敏感  诱导辐射抗性  DNA修复  细胞周期 

文摘内容 低剂量超辐射敏感(HRS)和诱导辐射抗性(IRR)是辐射生物学的两个重要现象,研究这两个现象发生的机理对于辐射保护、控制肿瘤发生、研制新的功能材料具有重要的意义。辐射产生的DNA双链断裂(DNA double-strand breaks,DSBs)是辐射诱导细胞失活的主要损伤形式。对DSBs不能进行修复或者不能进行正确的重新连接是引起细胞死亡的主要原因。与DNA合成前期(first gap phase,G1期)和DNA合成期(synthetic phase,S期)相比,HRS在DNA合成后期(second gap phase,G2期)的表现非常明显。HRS和IRR之间相互转换调控的机制可能是G2期细胞中的一部分存在一个激活过程的发生。DNA损伤修复机制在HRS/IRR过程中发挥了重要作用。在低于20cGy的剂量条件下,细胞产生效率较低的损伤效应,细胞死亡迅速增加,低剂量超辐射敏感现象(HRS)出现;在高于20cGy的条件下,辐射造成DNA双链断裂,这些DSB本身或者由辐射引起的DNA变化激活了ATM(ataxia telangiectasia mutated),G2期专有的检测点被激活,细胞周期在G2期停顿下来,激活的G2期专有的检测点促进对DNA进行修复,提高了细胞的存活率,此时,诱导辐射抗性(IRR)出现。尽管这些结果使人们对HRS/IRR有了一个比较清晰地了解,目前仍然存在着一些关键问题有待解决。例如,为什么有些细胞系表现HRS/IRR现象,而有些细胞系不表现HRS/IRR现象;细胞中是否存在针对单一剂量的突变的HRS/IRR等。这些问题可能是将来重要的研究方向。