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基于响应面法的耐镉假单胞菌TCd-1培养条件优化



编号 zgly0001717490

文献类型 期刊论文

文献题名 基于响应面法的耐镉假单胞菌TCd-1培养条件优化

作者 汪敦飞  朱胜男  肖清铁  郑新宇  林瑞余 

作者单位 福建农林大学生命科学学院福建省农业生态过程与安全监控重点实验室  福建农林大学作物生态与分子生理学福建省高校重点实验室 

母体文献 浙江农林大学学报 

年卷期 2020年05期

年份 2020 

分类号 X172 

关键词 假单胞菌  镉  Plackett-Burman设计  优化培养  响应面法 

文摘内容 【目的】利用响应面法优化耐镉菌株假单胞菌Pseudomonas TCd-1的培养条件。【方法】以基础发酵培养条件为对照,菌株吸光度D(660)作为评价指标,利用单因素试验确定培养基组分的最佳碳源、氮源和无机盐种类,通过Plackett-Burman试验设计评价牛肉膏、酵母粉、氯化镁、培养温度、初始pH、接菌量、培养时间和转速8个因素对菌株生长的影响,进而确定显著影响因素,然后进行最陡爬坡试验获得显著影响因素的最优组合,结合Box-Behnken试验设计和响应面分析,优化假单胞菌TCd-1的培养条件。【结果】菌株培养基组分的最佳碳源、氮源和无机盐分别为牛肉膏、酵母粉和氯化镁;影响菌株生长的显著性因素为酵母粉、培养温度、初始pH;基于响应面法优化后的培养条件为:牛肉膏质量分数为0.5%,酵母粉1.0%,氯化镁0.5%,pH 6.3,温度33℃,接菌量1.25%,转速160 r·min-1,培养时间24 h。【结论】根据最佳条件,进行重复试验得到优化后的菌液吸光度D(660)比对照提高了67.07%,与模型预测值相一致,表明优化后的条件显著促进了菌株的生长,达到预期目的。图1表6参26

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