α－Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

编号 zgly0001172076

文献类型 期刊论文

文献题名 α－Si3N4晶须中缺陷与晶须生长气氛关系的研究

作者 吴华武  徐功骅  尉京志  来月英  张克宏 

作者单位 清华大学化学系 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 1996年02期

年份 1996 

分类号 TN304.054 

关键词 晶须  α－Si3N4  缺陷与气氛 

文摘内容 本文研究了用无定形氮化硅超细粉原位生长α－Ｓｉ３Ｎ４晶须，晶须生长温度为１４００～１４５０℃，恒温１～４ｈ。讨论了在晶须生长过程中，不同的保护气氛对晶须质量的影响。当晶须在高纯Ｎ２气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３２％～３４％，氧含量为８％～６％，氯含量为０．１％左右。这类晶须中存在着大量的缺陷。当晶须在ＮＨ３气氛中生长时，得到的晶须中氮含量为３９％左右，氧含量为１％，氯含量为０．０１％，在这类晶须的透射电镜照片中几乎看不到缺陷。