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α-Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究



编号 zgly0001172059

文献类型 期刊论文

文献题名 α-Si3N4晶须、晶柱与生长温度关系的研究

作者 徐功骅  来月英  刘艳生  尉京志  吴华武  张克宏 

作者单位 清华大学化学系  同济大学化学系 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 1996年01期

年份 1996 

分类号 TN304.054 

关键词 晶须  晶柱  α-Si3N4 

文摘内容 本文采用无定形氮化硅超细粉制备α-Si3N4晶须和晶柱,并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明:晶须生长时能否得到完整的晶体,与其生长温度有关,只有某一温度范围(1430℃±30℃)生长时,才能得到比较完整的晶体,晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性,晶须中会出现大量的缺陷,温度继续升高时,在晶须中又出现了晶粒,继而生长成晶柱。

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