活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(中)

编号 zgly0000887616

文献类型 期刊论文

文献题名 活性环境空心阴极溅射特性与沉积Al_2O_3、ZnO掺杂和In_2O_3:Mo薄膜的应用(中)

作者 范崇治 

作者单位 清华大学 

母体文献 太阳能 

年卷期 2014(7)

页码 16-18+22

年份 2014 

关键词 阴极溅射  气流量  Al_2O_3  In_2O_3  Mo  ZnO  放电功率  石英晶体  工作气体  沉积特性  沉积率 

文摘内容 2实验结果和讨论2.1阴极和沉积特性典型空心阴极I-V特性如图2所示,HC中有铜靶块并用氩气作为工作气体。在气流量和放电电流一定时,压强越低需放电电压越高。在给定真空室压强情况下,两个不同气流量的I-V特性很接近,在一定电流下,较高的气流量电压略低一点(注:从图2看,原文略高一点——译者注),这是因为流量提高了HC内部的压强。影响峰值局部沉积率的主要因素是放电功率、工作气体的流量和阴极源到基材的距离。图3给出了Cu的沉积率与功率的关系,测试条件:氩固定流量为5000 sccm、压强约为38.0 Pa,用石英晶体监测器,距离3.5 cm测量沉积率。