余甘子固定化单宁的制备及其对Ge(Ⅳ)、Ga(Ⅲ)及In(Ⅲ)的吸附特性研究

编号 zgly0001695362

文献类型 期刊论文

文献题名 余甘子固定化单宁的制备及其对Ge(Ⅳ)、Ga(Ⅲ)及In(Ⅲ)的吸附特性研究

作者 黄铖  李坤  张雯雯  张弘  孙彦琳  刘义稳 

作者单位 昆明理工大学化学工程学院  中国林业科学研究院资源昆虫研究所国家林业和草原局特色森林资源工程技术研究中心  五峰赤诚生物科技股份有限公司国家林业和草原局五倍子高效培育与精深加工工程技术研究中心 

母体文献 林产化学与工业 

年卷期 2020年01期

年份 2020 

分类号 O647.3 

关键词 余甘子  固定化单宁  壳聚糖  吸附  稀散金属 

文摘内容 以戊二醛为交联剂,壳聚糖为聚合物基质,固化余甘子单宁制备一种固体吸附材料余甘子固定化单宁(PEIT),并采用FT-IR、DSC、TG对PEIT的结构和热性质进行了表征。研究结果表明:余甘子单宁通过戊二醛与壳聚糖基质产生了交联,最佳制备条件为2 g余甘子单宁,m(戊二醛)∶m(余甘子单宁) 1∶4,m(壳聚糖)∶m(余甘子单宁) 1.5∶1,反应液初始pH值4,55℃反应3 h。将制备的PEIT用于吸附金属离子,结果显示其对Ge(Ⅳ)、Ga(Ⅲ)和In(Ⅲ)有良好的吸附效果,当pH值为4时,In(Ⅲ)吸附量最大;当pH值为3时,Ge(Ⅳ)和Ga(Ⅲ)吸附量最大;对这3种金属离子的吸附符合准二级动力学方程,说明其吸附机理为化学吸附;吸附过程对温度并不敏感,且最佳吸附温度为30℃。吸附等温线符合Langmuir等温线模型,证明其表面存在均匀的吸附位点,且主要是单分子层吸附,Ga(Ⅲ)、In(Ⅲ)和Ge(Ⅳ)的最大吸附量分别为67.65、70.00和54.11 mg/g。