冷害对黄瓜光系统Ⅱ潜在活性的影响

编号 zgly0001743956

文献类型 期刊论文

文献题名 冷害对黄瓜光系统Ⅱ潜在活性的影响

作者 卢苗  完香蓓  袁凯凯  胡瑾 

作者单位 西北农林科技大学机械与电子工程学院  农业农村部农业物联网重点实验室  陕西省农业信息感知与智能服务重点实验室 

母体文献 西北农林科技大学学报:自然科学版 

年卷期 2022,50(10)

页码 116-124

年份 2022 

分类号 S642.2 

关键词 黄瓜冷害  叶绿素荧光参数  量子遗传  支持向量机回归 

文摘内容 【目的】分析不同低温环境对黄瓜光系统Ⅱ(PSⅡ)潜在活性F_(v)/F_(o)的影响,为黄瓜冷害的无损诊断提供技术支持。【方法】试验在光强140μmol/(m^(2)·s)、CO_(2)浓度为400μmol/mol及昼/夜光周期为14 h/10 h、空气相对湿度为60%/50%的CO_(2)人工气候箱中进行,以16株不同F_(v)/F_(o)值(4.5~6.0)的黄瓜幼苗为试验样本,平均分组,分别于8,10,12和14℃低温条件下连续培养8 d,每天16:00采集黄瓜叶片荧光参数(F_(v)/F_(o)),以其代表黄瓜PSⅡ潜在活性,分析低温对黄瓜叶片生理状态的影响,并采用量子遗传-支持向量机回归算法建立低温环境下黄瓜叶片F_(v)/F_(o)值预测模型。【结果】培养温度、持续时间和低温处理前黄瓜F_(v)/F_(o)值共同影响黄瓜幼苗PSⅡ潜在活性(F_(v)/F_(o))对低温的响应。低温环境下,黄瓜幼苗F_(v)/F_(o)值均在0~2 d快速下降,后随低温持续时间的延长缓慢降低,但温度越低下降速度越快。低温处理前F_(v)/F_(o)值越大,遭受低温胁迫时,黄瓜叶片PSⅡ反应中心受到的损伤越小,其对低温环境的应对能力越强。以培养温度、持续时间和低温处理前黄瓜叶片F_(v)/F_(o)为输入,当前F_(v)/F_(o)为输出建立黄瓜叶片F_(v)/F_(o)预测模型,模型在训练集和预测集上的R 2分别为0.9469和0.9497,RMSE分别为0.2316和0.2276,MAE为0.3168和0.2952。【结论】所构建的预测模型可实现低温环境下的黄瓜叶片F_(v)/F_(o)的精准预测,为作物早期冷害胁迫的无损诊断奠定了基础。