入侵种喜旱莲子草对光照强度的表型可塑性反应

编号 zgly0001305466

文献类型 期刊论文

文献题名 入侵种喜旱莲子草对光照强度的表型可塑性反应

作者 许凯扬  叶万辉  李国民  李静 

作者单位 中国科学院华南植物园  长沙理工大学  中国科学院华南植物园 广州510650  长沙410076  广州510650 

母体文献 武汉植物学研究 

年卷期 2005年06期

年份 2005 

分类号 Q948.1 

关键词 喜旱莲子草  表型可塑性  光照强度  入侵 

文摘内容 对外来入侵种喜旱莲子草[A lternanthera ph ilox eroid es(M art.)G riseb.]在不同强度光照处理中的表型可塑性反应进行了研究。结果表明:在高光照(100%)、中等光照(60.4%)、低光照(35.4%)和弱光照(16.5%)条件下,随光照强度的降低,分枝强度、基株株长、茎节长度随之下降,总生物量及根、茎、叶生物量显著减少;中等光强度处理喜旱莲子草根冠比显著低于其他处理;弱光条件下喜旱莲子草生长迟缓,呈直立状。研究结果表明,光照强度是影响喜旱莲子草种群生存与维持、生长和成功入侵、扩散的重要因子,同时也说明光照强度较低的生态系统喜旱莲子草入侵成功的机会很小。