氧掺杂（9,0）型BC2N纳米管的电子结构与性质

编号 zgly0001436222

文献类型 期刊论文

文献题名 氧掺杂（9,0）型BC2N纳米管的电子结构与性质

作者 孙苗  薛子成  吴宫莲  张辉  张桂玲  刘波 

作者单位 绿色化工技术黑龙江省教育厅重点实验室(哈尔滨理工大学) 

母体文献 东北林业大学学报 

年卷期 2013年06期

年份 2013 

分类号 O641.1 

关键词 BC2N纳米管  O掺杂  密度泛函理论  结构和电子性质 

文摘内容 基于密度泛函理论的第一性原理方法,对单个氧原子(O)化学置换掺杂在锯齿形(zigzag)(9,0)BC2N NTs进行了研究。结果显示O掺杂在B位(OB)和第二个C位(OCII)时,结构发生很明显的形变;而在ON和OCI掺杂BC2N纳米管的情况下,产生的形变几乎可以忽略。形成能的研究结果表明,ON掺杂的体系在B-rich的条件下是最为稳定的。OB掺杂(9,0)BC2N NTs的电子能带结构表明其显示受体的性质,而ON掺杂(9,0)BC2NNTs的导带位于Fermi能级处显示金属的性质。对于OC掺杂(9,0)BC2N NTs的情况,OCI和OCII掺杂(9,0)BC2NNTs分别为间接带隙半导体和直接带隙半导体。