强光胁迫下外源NO对霍山石斛叶绿素荧光的影响

编号 zgly0000576650

文献类型 期刊论文

文献题名 强光胁迫下外源NO对霍山石斛叶绿素荧光的影响

作者 樊洪泓  李廷春  李正鹏  林毅  蔡永萍 

作者单位 安徽农业大学生命科学学院  安徽省烟草研究所  安徽科技学院 

母体文献 核农学报 

年卷期 2008,22(4)

页码 524-528

年份 2008 

分类号 S567  Q945.11 

关键词 霍山石斛  NO  强光胁迫  PSⅡ 

文摘内容 以兼性景天酸代谢CAM植物霍山石斛为材料,研究了强光胁迫条件下,外源一氧化氮(NO)对霍山石斛叶绿素荧光参数的影响。结果表明：在强光胁迫下,0.1mmol/L硝普钠(SNP,NO供体)处理显著缓解强光对霍山石斛光合系统Ⅱ(PSⅡ)的抑制,霍山石斛PSⅡ荧光参数潜在光化学效率(Fv/Fm)、实际光化学效率(ΦPSⅡ)、光化学猝灭系数qL、非光化学猝灭系数NPQ和ΦNPQ下降缓慢,且非光化学猝灭系数ΦNO值较低,PSⅡ反应中心恢复较快,说明该处理缓解了光抑制的发生,保护了光合机构免受强光胁迫的伤害,而经0.5mmol/L SNP处理后,霍山石斛的Fv/Fm、ΦpsⅡ、qL、NPQ和ΦNPQ下降程度增加,ΦNO也较高,恢复较慢,表明该处理加剧了PSⅡ反应中心光抑制的发生。可见,高浓度(0.5mmol/L)SNP处理可加剧光抑制的发生,而低浓度(0.1mmol/L)SNP处理可缓解强光对石斛的胁迫作用。