Cd胁迫下黄菖蒲幼苗根系生长与Cd积累的研究

编号 zgly0000597348

文献类型 期刊论文

文献题名 Cd胁迫下黄菖蒲幼苗根系生长与Cd积累的研究

学科分类 220.10;林业基础学科

作者 仇硕  黄苏珍 

作者单位 江苏省·中国科学院植物研究所(南京中山植物园) 

母体文献 植物资源与环境学报 

年卷期 2008,17(3)

页码 33-38

年份 2008 

分类号 X173  S564.3 

关键词 黄菖蒲  Cd胁迫  Cd沉积  根系  超微结构 

文摘内容 采用水培法研究了Cd胁迫对黄菖蒲(Iris pseudacorus L．)幼苗根系生长和Cd含量的影响，用透射电镜观察了Cd胁迫对根尖细胞亚显微结构的影响并确定了Cd沉积部位。结果表明，10mg·L^-1 Cd处理对黄菖蒲幼苗根系的生长有一定促进作用，根毛数量及不定根上侧根的数量、密度和长度均高于对照；Cd浓度高于25mg·L^-1时，根系的生长发育受到抑制，上述指标均显著低于对照。用10～40mg·L^-1 Cd处理后，黄菖蒲幼苗不定根上侧根中的Cd含量均显著高于未长侧根的不定根和去掉侧根的不定根(P〈0．05)，说明不定根上的侧根对Cd沉积有重要作用。100mg·L^-1 Cd处理能导致根尖细胞质浓缩、质壁分离和液泡变大，且大量Cd颗粒沉积在细胞壁上和细胞间隙中，表明细胞壁和细胞间隙对Cd的沉积作用可能是黄菖蒲幼苗耐Cd胁迫的重要机理之一。