拿破仑甜樱桃的辐射诱变

编号 zgly0001049908

文献类型 期刊论文

文献题名 拿破仑甜樱桃的辐射诱变

作者 M.M.Thompson  杨岸晓 

作者单位 山东农学院 

母体文献 烟台果树 

年卷期 1983年02期

年份 1983 

关键词 突变体  自发突变  突变频率  半紧凑型  芽位  甜樱桃  拿破仑  顶端分生组织  照射量  幅照后 

文摘内容 用钴—60(60CO)r射线对甜樱桃拿破仑的休眠接穗进行处理。描述初生枝（V1）的性状,并报导了次生枝（V2）的突变频率及类型,特别是照射量与V2树（由V1枝的有关芽信长成）的关系。诱发突变的最适照射量为4.0～4.5千伦。在所有的照射量中（3.0～5.0千伦）,部分植株变异的突变体为总突变频率的6.72%,整株突变体为总突变频率的1.94％,紧凑型突变体为总突变频率的0.10%,最低芽位上（初生枝基部第3～10个芽位）以后长成的V2树的总突变频率特别高,而在较高的芽位上（第10～37个芽位）只是整株突变体的频率比较高。本文讨论了与这个树种顶端分生组织引起的幅照损伤类型有关的遗传效果。