电子束处理对唐菖蒲M1代植株生长发育的影响

编号 zgly0000556338

文献类型 期刊论文

文献题名 电子束处理对唐菖蒲M1代植株生长发育的影响

作者 张志伟  王丹 

作者单位 西南科技大学国防科工委核废物和环境安全国防重点学科实验室 

母体文献 东北林业大学学报 

年卷期 2008,36(1)

页码 26-27

年份 2008 

分类号 Q691  S682.24 

关键词 电子束  唐菖蒲  光合特性  生长发育 

文摘内容 为了探讨电子束对唐菖蒲诱变育种的可行性和不同剂量的电子束对植株生长发育的影响,用能量为3MeV的电子束辐照唐菖蒲“江山美人”和“超级玫瑰”球茎。在苗期及初花期,电子束诱变处理有显著抑制植株的生长和发育的趋势。在初花期,随着剂量的增大,唐菖蒲“超级玫瑰”细胞间隙CO2体积分数和光合速率均受到刺激作用而增大(P〈0.05);唐菖蒲对电子束辐照的半致死剂量在品种间存在差异,“江山美人”比“超级玫瑰”有更强的电子束耐受性;电子束处理唐菖蒲“超级玫瑰”球茎的半致死剂量(LD50)应为240 Gy,“江山美人”的半致死剂量(LD50)则大于240 Gy。