暗培养温度对吉塞拉6号离体新梢生根的影响

编号 zgly0000465637

文献类型 期刊论文

文献题名 暗培养温度对吉塞拉6号离体新梢生根的影响

作者 魏海蓉  李勃  赵红军  张力思  刘庆忠 

作者单位 山东省果树研究所  山东省农业科学院 

母体文献 落叶果树 

年卷期 2006,38(5)

页码 1-3

年份 2006 

分类号 S662.5 

关键词 暗培养温度  吉塞拉6号  离体新梢  生根  甜樱桃  矮化砧木 

文摘内容 以在增殖培养基上生长3～4周的甜樱桃矮化砧木吉塞拉6号离体新梢为试材, 研究20℃、25℃、30℃和35℃条件下暗培养后离体新梢的生根状况。结果表明, 在黑暗诱导生根阶段, 20℃效果最好; 其次为25℃和30℃, 35℃会抑制生根。30℃最有利于根的生长, 25℃和35℃次之, 20℃根的生长速度最慢。