FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

编号 zgly0001330123

文献类型 期刊论文

文献题名 FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

作者 翟蕊  杨光义  吴仁兵  陈建军  林晶  吴玲玲  潘颐 

作者单位 浙江大学材料科学与工程系  浙江大学材料科学与工程系 杭州310027  杭州310027  浙江理工大学材料工程中心  杭州310018 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2007年05期

年份 2007 

分类号 O782 

关键词 SiC晶须  液相法  VLS生长机理 

文摘内容 在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混合层、SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC;TEM和SAED分析表明,SiC晶须为3C-SiC单晶,生长方向为[111]。基于上述结果,提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径,生成不同形貌SiC的反应机理:低温时(≤1500℃),Fe提高了熔体中C的饱和溶解度,以液-固(LS)反应生成SiC颗粒;较高温度时(1500~1750℃),借助Fe的催化作用,以气-液-固(VLS)机理生成SiC晶须;更高温度时(≥1750℃),气-液-固(VLS)变得无序,生成SiC腾空连续膜。