CH3SiCl3-BCl3-H2体系气相沉积的热力学计算

编号 zgly0001391935

文献类型 期刊论文

文献题名 CH3SiCl3-BCl3-H2体系气相沉积的热力学计算

作者 左新章  张立同  刘永胜  成来飞  曾庆丰 

作者单位 西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2010年05期

年份 2010 

分类号 TB321 

关键词 热力学计算  Si-B-C陶瓷  产物分析  化学气相沉积(CVD) 

文摘内容 利用FactSage software软件进行热力学计算,获得了CH3SiCl3(MTS)-BCl3-H2体系在化学气相沉积环境中Si-B-C陶瓷的热力学产物图和相图。讨论了在高温(900～1100℃)、低压(2 kPa、5 kPa和12 kPa)条件下系统总压、温度和反应气体比例等参数对主要产物产率的影响。结果表明,在所研究的参数范围内,系统总压、温度和气体比例对B4C相的产率影响比较明显,而对SiC相的产率影响不明显。气体比例对C相的产率影响比较明显,温度和系统总压对C相的产率影响不明显。各参数的变化对主要气态产物(BHx、CxHy、SiClx等)的产率有一定程度的影响。稀释气体分压的增加有利于富B相的生成,MTS分压的增加有利于SiC的生成。