硅对NaCl胁迫下甜瓜种子萌发及幼苗生长的影响

编号 zgly0001624556

文献类型 期刊论文

文献题名 硅对NaCl胁迫下甜瓜种子萌发及幼苗生长的影响

作者 王玉萍  王映霞  白向利  王小青  张峰 

作者单位 甘肃省作物遗传改良与种质创新重点实验室甘肃省干旱生境作物学重点实验室甘肃农业大学  甘肃农业大学园艺学院  甘肃农业大学生命科学技术学院 

母体文献 草业学报 

年卷期 2015年05期

年份 2015 

分类号 S652 

关键词 硅  NaCl胁迫  种子萌发  幼苗生长  甜瓜 

文摘内容 为明确硅(silicon,Si)对盐胁迫的缓解作用,以雪梨一号和朗秦银蜜两个耐盐性不同的甜瓜品种为材料,在125mmol/L NaCl胁迫下,研究了不同浓度外源Si对甜瓜种子萌发和幼苗生长的影响。结果表明,NaCl胁迫显著抑制了甜瓜种子萌发,0.50~1.00mmol/L外源Si处理较对照能显著提高种子的发芽率、发芽势、发芽指数、α-淀粉酶活性及吸水率,其中两个品种的种子均以0.75mmol/L外源Si处理效果最好;NaCl胁迫下,0.25~1.00mmol/L外源Si处理后,甜瓜幼苗的株高、叶面积、叶绿素含量、地上部分干重和根系干重较对照显著提高,其中朗秦银蜜和雪梨一号幼苗分别以0.50和0.75 mmol/L外源Si处理效果最好。研究表明,0.25~1.00mmol/L外源Si能促进NaCl胁迫下种子吸水和α-淀粉酶活性的提高来促进种子萌发,通过提高NaCl胁迫下幼苗叶绿素含量维持较高的光合能力促进幼苗生长,缓解盐胁迫对甜瓜种子和幼苗的伤害,外源Si浓度超过1.25mmol/L时对盐胁迫没有缓解效应。