超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法

编号 zgly0000618248

文献类型 期刊论文

文献题名 超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法

母体文献 有机硅氟资讯 

年卷期 2009(2)

页码 41-41

年份 2009 

分类号 TQ453.3  TN304.12 

关键词 氧化硅层  制造方法  存储单元  非易失性  含硅  导电层  氧化层  栅极 

文摘内容 一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法，包括位于衬底上的栅极导电层、位于栅极导电层两侧之衬底中的源极／漏极区、位于栅极导电层与衬底之间的遂穿氧化层、位于栅极导电层与遂穿氧化层之间做为电荷捕捉层的超富含硅氧化硅层以及位于栅极导电层与超富含硅氧化硅层之间的上介电层。