晶格反演法构建SiC/Mg界面对势及其验证

编号 zgly0001567824

文献类型 期刊论文

文献题名 晶格反演法构建SiC/Mg界面对势及其验证

作者 周霞  宋尚雨 

作者单位 大连理工大学运载工程与力学学部工程力学系工业装备结构分析国家重点实验室 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2017年08期

年份 2017 

分类号 TB333 

关键词 SiC/Mg界面  原子间作用对势  晶格反演法  从头计算  界面势验证 

文摘内容 通过分析SiC和Mg的晶体结构,构造了SiC与Mg的共格晶面。采用Chen-M9bius晶格反演法对SiC/Mg界面的原子对势进行了反演,分别推导了Si和Mg原子、C和Mg原子间作用势与界面结合能关系的解析表达式。在此基础上,从头计算了SiC/Mg界面的结合能曲线,结合反演公式得到了Si和Mg原子、C和Mg原子的对势函数,并对反演过程的自洽性进行了检验。此外,建立了其他6种不同的SiC/Mg界面构型,通过对比反演对势计算的界面结合能与从头计算的结果,对反演所得对势的可转移性进行了验证。结果表明:从头计算的界面结合能可以由反演对势精确地算出,整个反演过程和结果是自洽的,所得原子对势同样适用于其他界面构型,具有良好的可转移性。本文推导的反演公式同样适用于与SiC/Mg界面结构相似的其他界面原子对势的研究。