放电等离子烧结制备高导热SiC_P/Al电子封装材料

编号 zgly0001391840

文献类型 期刊论文

文献题名 放电等离子烧结制备高导热SiC_P/Al电子封装材料

作者 尹法章  郭宏  贾成厂  张习敏  张永忠 

作者单位 北京有色金属研究总院国家有色金属复合材料工程技术研究中心  北京科技大学材料科学与工程学院 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2010年01期

年份 2010 

分类号 TN04 

关键词 电子封装材料  放电等离子烧结  热导率 

文摘内容 为了满足电子封装材料越来越高的性能要求,采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备了SiCP/Al复合材料。研究了烧结温度和保温时间等工艺条件对SiCP/Al复合材料组织形貌和性能的影响。结果表明:采用SPS烧结,温度为700℃、保温时间为5 min时,所制备的70 vol%SiCP/Al复合材料热导率达到195.5 W(m.K)-1,与传统15%W-Cu合金相当,是Kovar合金的10倍,但密度小,仅为3.0 g.cm-3;其热膨胀系数为6.8×10-6K-1,与基板材料热膨胀系数接近;抗弯强度为410 MPa,抗拉强度为190 MPa,达到了电子封装材料对热学性能和力学性能的要求。