聚硅氧烷先驱体转化制备三维C_f/Si-O-C复合材料的研究

编号 zgly0001273175

文献类型 期刊论文

文献题名 聚硅氧烷先驱体转化制备三维C_f/Si-O-C复合材料的研究

作者 马青松  陈朝辉  郑文伟  胡海峰 

作者单位 国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室  国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室 长沙410073  长沙410073  长沙410073 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2003年02期

年份 2003 

分类号 TB332 

关键词 Si-O-C陶瓷  聚硅氧烷  交联  裂解  先驱体转化  微观结构  陶瓷基复合材料 

文摘内容 研究了含氢聚硅氧烷(PSO)与二乙烯基苯(DVB)的交联与裂解。结果表明:只有在氯铂酸的催化作用下,PSO与DVB才能完全交联。DVB/PSO质量比对陶瓷产率的影响较大,DVB/PSO=0.5时陶瓷产率最高,达到76%。裂解产物中Si,C,O的含量分别为38.3wt%,34.3wt%,27.4wt%。以质量比为0.5的DVB/PSO体系为先驱体,采用先驱体转化法制备出三维Cf/Si-O-C复合材料。研究发现:第一次裂解时采用热压辅助可以明显提高材料的力学性能。第一次在1600℃,10MPa的条件下热压裂解5min,后续真空浸渍-常压裂解处理六个周期所制得的材料具有较高的力学性能,其弯曲强度和断裂韧性分别为502MPa,23.7MPa·m1/2。理想的界面结合状态是其具有高性能的主要原因。