复合半导体光催化剂p-CoO/n-CdS的制备、表征及光催化性能

编号 zgly0000658790

文献类型 期刊论文

文献题名 复合半导体光催化剂p-CoO/n-CdS的制备、表征及光催化性能

作者 杜欢  王晟  刘恋恋  刘忠祥  李振  卢南  刘福生 

作者单位 南京林业大学理学院化学与材料科学系  南京工业大学化学化工学院 

母体文献 物理化学学报 

年卷期 2010(10)

页码 2726-2732

年份 2010 

分类号 O643 

关键词 光催化  p-n复合半导体  氧化钴  硫化镉  表征 

文摘内容 以醋酸镉、十二硫醇、硬脂酸和醋酸钴等为原料,采用新方法制备了CdS和一系列p-CoO/n-CdS复合半导体光催化剂.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、N2吸附-脱附和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等对产物进行了表征.结果表明,p-CoO/n-CdS复合半导体中,CoO粒子紧密结合在CdS颗粒上,CdS的颗粒粒径在100 nm左右,为六方纤锌矿晶型,CoO的颗粒粒径在10 nm左右,颗粒粒径分布均匀.p-CoO/n-CdS的UV-Vis DRS分析结果表明,在400-550 nm范围内都有一强吸收带,属于CdS在可见光区的特征吸收.用光催化降解甲基橙测试了光催化性能,结果表明,p-CoO/n-CdS光催化活性是CdS光催化活性的2.2倍左右.光腐蚀测试结果表明,CdS的光腐蚀速率是p-CoO/n-CdS中CdS光腐蚀速率的2倍以上,说明CoO与CdS复合对CdS的光腐蚀具有明显的抑制作用.