SiC-B4C复合膜的制备及其力学和热电性能

编号 zgly0001289263

文献类型 期刊论文

文献题名 SiC-B4C复合膜的制备及其力学和热电性能

作者 王新华 

作者单位 浙江大学材料科学与工程系 杭州310027 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2004年03期

年份 2004 

分类号 TB332 

关键词 碳化硅  碳化硼  显微硬度  热电性能 

文摘内容 探索了SiC-B4C复合膜的热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备,研究了SiC-B4C复合膜的力学性能和热电性能。实验结果表明:以SiC和B4C超细粉为原料的热等离子体PVD(TPPVD)法是快速制备SiC-B4C复合膜的有效方法。通过控制SiC和B4C粉末的供给,可以获得具有层状结构的SiC-B4C致密优质复合膜,最大沉积速度达356nm/s,高于常规PVD和CVD法两个数量级。膜的硬度随B4C含量增加而增大,最大显微维氏硬度达到35GPa。SiC-B4C复合膜的电阻率和Seebeck系数随B4C含量增加而减小。最大Seebeck系数为550μVK-1,在973K时最大功率因子达到640μWm-1K-2,是SiC烧结体的21倍。