生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响

编号 zgly0001683520

文献类型 期刊论文

文献题名 生长温度对InAs/GaAs横向异质结构纳米线形貌及晶体结构的影响

作者 刘妍  彭艳  郭经纬  徐朝鹏  喇东升 

作者单位 燕山大学国家冷轧板带装备及工艺工程技术研究中心  燕山大学信息科学与工程学院  燕山大学河北省信息传输与信号处理重点实验室  东北大学秦皇岛分校计算机与通信工程学院  东南大学毫米波国家重点实验室 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2019年10期

年份 2019 

分类号 TB383.1 

关键词 纳米线  气-液-固  金属有机化合物气相沉积(MOCVD)  GaAs  InAs 

文摘内容 低维半导体材料因其超常的物理性能而受到了广泛关注和研究。本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,利用金作催化剂制备了InAs/GaAs横向异质结构纳米线,并讨论了不同生长温度情况下InAs横向异质材料对纳米线形貌及晶体结构的影响。提高InAs材料的生长温度,可以有效地抑制纳米线的纵向生长,使其实现横向异质结构的生长。在异质结构纳米线横向生长时发生了侧面晶面旋转的现象,这是纳米线表面重构后侧面趋向能量更低的晶面的结果。本文的研究工作为推动微纳技术的发展提供了相应的理论基础和科学依据。