C/SiC表面SiC涂层氧化的显微CT无损检测与分析

编号 zgly0001411292

文献类型 期刊论文

文献题名 C/SiC表面SiC涂层氧化的显微CT无损检测与分析

作者 冯炎建  冯祖德  李思维  张伟华  栾新刚  刘永胜  成来飞 

作者单位 厦门大学材料学院  西北工业大学超高温结构复合材料国防科技重点实验室 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2011年05期

年份 2011 

分类号 TB332 

关键词 C/SiC复合材料  SiC涂层  显微CT  干氧  湿氧 

文摘内容 对C/SiC复合材料表面SiC涂层在1300℃干氧和湿氧环境中退火处理60 h,利用显微CT技术对高温氧化后的SiC涂层进行无损检测。通过重构SiC涂层不同深度的氧化形貌,并利用SEM、EDS和XRD进行辅助验证,得到沿SiC涂层表面和厚度方向的氧化形貌。结果表明:显微CT能有效地检测氧化后SiC涂层中存在的氧化产物SiO2及其氧化深度,其在表面及深度方向均呈非均匀分布;在干氧环境中SiC涂层的氧化面积沿着涂层的深度方向呈减少趋势,而在湿氧环境中SiC涂层的氧化面积沿着涂层的深度方向呈先增加后递减的趋势,验证了C/SiC复合材料表面SiC涂层在干氧和湿氧中不同的氧化机制。