SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响

编号 zgly0001530240

文献类型 期刊论文

文献题名 SiC晶须对反应合成多孔TiB2-TiC复合材料的影响

作者 张艳凤  崔洪芝  宋晓杰  张珊珊  魏娜  王珂 

作者单位 山东科技大学材料科学与工程学院 

母体文献 复合材料学报 

年卷期 2016年04期

年份 2016 

分类号 TB332 

关键词 TiB2-TiC  SiC_w  多孔复合材料  反应合成  自蔓延高温合成法 

文摘内容 以Ti、B4C和SiC晶须（SiCw）为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB_{2-TiC复合材料。讨论了SiCw含量对TiB2-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响。结果表明:不添加SiCw时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti3B4以及TiC和少量TiB2;在5Ti+B4C体系中加入SiCw后,贫硼相TiB和Ti3B4逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB2和TiC的含量增加。随着SiCw含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46%增加至52.78%。当SiCw含量小于1.0时,随着SiCw含量的增加,多孔TiB2-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiCw含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04MPa。Ti与SiCw反应会生成TiC、Ti3SiC2和TiSi2等物相,消耗一定量的Ti,使得与B4C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB2形成和TiC的增多。并且在SiCw表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti3SiC2,增加SiCw与TiB2-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiCw的强化作用。}