低能N~+离子注入诱变选育云芝高产抗病菌株的研究

编号 zgly0001466770

文献类型 期刊论文

文献题名 低能N~+离子注入诱变选育云芝高产抗病菌株的研究

作者 蒋益  郑惠华  刘广建  全卫丰  薛璟  季宏更  汪洁 

作者单位 江苏省苏微微生物研究有限公司  江苏安惠生物科技有限公司 

母体文献 食用菌 

年卷期 2014年02期

年份 2014 

分类号 S567.3 

关键词 云芝  低能N+离子  诱变育种 

文摘内容 应用低能N+离子注入筛选所得高产抗病融合云芝菌株原生质体进行诱变,以获得一株产量更高,抗病性更强,适用于栽培的诱变菌株。试验确定了低能N+离子注入的适宜参数:注入剂量为9×1014ions/cm2,注入能量20 KeV,靶室真空度10-3Pa,以5 s脉冲式注入,间隔时间为15 s。离子注入后,筛选酯酶同工酶酶谱存在显著差异和拮抗实验呈阳性的突变菌株,分别以液体发酵生物量及固体栽培子实体转化率、对病菌平均抗性水平为初筛和复筛标准,经遗传稳定性实验验证,筛选到了一株云芝高产抗病菌株,其子实体产量较对照菌株提高了10.3%,抗病水平提高了5%。结果表明:低能N+离子束注入是一种较为理想的云芝诱变育种手段。